LAM Technologies KIYO：驅(qū)動(dòng)電機(jī) 控制器

一、引言：走進(jìn) LAM Technologies KIYO

在半導(dǎo)體制造這一高精尖領(lǐng)域，LAM Technologies 堪稱行業(yè)巨擘，占據(jù)著舉足輕重的地位。作為半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的頭部企業(yè)，其產(chǎn)品和技術(shù)深刻影響著行業(yè)的發(fā)展走向，多年來憑借持續(xù)創(chuàng)新與工藝，在刻蝕、薄膜沉積等關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)積累了深厚底蘊(yùn)，為眾多半導(dǎo)體制造企業(yè)提供了核心設(shè)備支持 ，與英特爾、臺(tái)積電等行業(yè)建立長(zhǎng)期合作關(guān)系，是推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)迭代升級(jí)的重要力量。

而 Kiyo 作為 LAM Technologies 旗下一款代表性的產(chǎn)品，在半導(dǎo)體制造流程中扮演著角色，承載著公司優(yōu)良的技術(shù)理念與研發(fā)成果，對(duì)提升半導(dǎo)體制造效率、精度以及產(chǎn)品性能有著關(guān)鍵作用，成為行業(yè)內(nèi)眾多廠商關(guān)注與研究的焦點(diǎn)。對(duì) Kiyo 進(jìn)行深入剖析，不僅能讓我們洞悉 LAM Technologies 的技術(shù)實(shí)力與創(chuàng)新能力，更能幫助我們理解半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的前沿技術(shù)趨勢(shì)與發(fā)展方向，對(duì)整個(gè)行業(yè)的技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級(jí)具有重要的參考價(jià)值 。

二、產(chǎn)品全貌：Kiyo 功能與特性

（一）核心功能

Kiyo 的核心功能圍繞著刻蝕工藝展開，在刻蝕過程中，能對(duì)關(guān)鍵工藝參數(shù)如氣體流量、射頻功率、刻蝕時(shí)間等進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。通過內(nèi)置的高精度傳感器與優(yōu)良的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，Kiyo 可將這些參數(shù)以毫秒級(jí)的速度進(jìn)行捕捉與分析，每秒鐘可采集數(shù)千組數(shù)據(jù) ，為工程師提供詳盡的工藝信息。舉例來說，在對(duì)某 7nm 制程芯片進(jìn)行刻蝕時(shí)，Kiyo 能精確監(jiān)測(cè)到氣體流量的細(xì)微波動(dòng)，哪怕是 0.01sccm（標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘）的變化也能及時(shí)反饋，確?？涛g過程中氣體環(huán)境的穩(wěn)定 。

在參數(shù)精準(zhǔn)監(jiān)測(cè)基礎(chǔ)上，Kiyo 的精準(zhǔn)控制功能可依據(jù)預(yù)設(shè)的工藝模型與實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，自動(dòng)對(duì)刻蝕參數(shù)進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整。當(dāng)監(jiān)測(cè)到刻蝕速率出現(xiàn)偏差時(shí)，系統(tǒng)會(huì)在極短時(shí)間內(nèi)（小于 10 毫秒）調(diào)整射頻功率，使刻蝕速率回歸到設(shè)定值，保證刻蝕深度與精度符合設(shè)計(jì)要求。在對(duì)硅片進(jìn)行高深寬比結(jié)構(gòu)刻蝕時(shí)，Kiyo 能將刻蝕深度控制在 ±1nm 以內(nèi)，確保每一片晶圓上的刻蝕效果高度一致 。

（二）特性

Kiyo 具備高精度特性，其刻蝕精度可達(dá)到原子級(jí)水平，能夠在極小的尺度上對(duì)材料進(jìn)行精確去除與加工。在制造優(yōu)良邏輯芯片的柵極結(jié)構(gòu)時(shí)，Kiyo 可實(shí)現(xiàn)線寬精度控制在 ±0.5nm，這一精度對(duì)于提升芯片性能、減小芯片尺寸起著關(guān)鍵作用，使得芯片能夠集成更多的晶體管，從而提高運(yùn)算速度與數(shù)據(jù)處理能力 。

在刻蝕過程中，Kiyo 采用特殊的等離子體控制技術(shù)與工藝氣體配方，極大地降低了對(duì)晶圓表面的損傷。在對(duì)脆弱的半導(dǎo)體材料進(jìn)行刻蝕時(shí)，Kiyo 可將表面損傷層厚度控制在 5nm 以內(nèi)，有效減少了因刻蝕損傷導(dǎo)致的芯片性能衰退，提高了芯片的良品率與可靠性 。

隨著半導(dǎo)體制程工藝向更優(yōu)良節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，Kiyo 在設(shè)計(jì)之初就充分考慮到對(duì)優(yōu)良制程的適應(yīng)性。它能夠滿足 2nm 及以下制程工藝的刻蝕需求，無論是復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)刻蝕，還是對(duì)新型材料如碳納米管、二維材料的刻蝕，Kiyo 都能憑借其優(yōu)良的技術(shù)與靈活的工藝調(diào)整能力，出色地完成任務(wù)，助力半導(dǎo)體制造商在優(yōu)良制程領(lǐng)域不斷突破 。

三、市場(chǎng)風(fēng)云：競(jìng)爭(zhēng)與應(yīng)用

（一）競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

在技術(shù)層面，與同類刻蝕設(shè)備相比，Kiyo 的原子級(jí)刻蝕精度獨(dú)樹一幟。市場(chǎng)上部分競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的設(shè)備刻蝕精度僅能達(dá)到 3 - 5nm，而 Kiyo 憑借優(yōu)良的等離子體控制技術(shù)與精確的工藝控制算法，實(shí)現(xiàn)了 ±0.5nm 的線寬精度控制 ，這使得 Kiyo 在制造優(yōu)良制程芯片時(shí)，能夠更好地滿足芯片對(duì)微小尺寸結(jié)構(gòu)的加工需求，為芯片性能提升提供了有力保障 。

Kiyo 在性能上表現(xiàn)，其刻蝕速率和均勻性遠(yuǎn)超同類產(chǎn)品。以某 14nm 制程芯片刻蝕為例，Kiyo 的刻蝕速率比同類設(shè)備提高了 30%，每小時(shí)可處理更多的晶圓數(shù)量 ，有效提升了生產(chǎn)效率。在刻蝕均勻性方面，Kiyo 可將晶圓不同區(qū)域的刻蝕速率偏差控制在 1% 以內(nèi)，確保了每一片晶圓上的刻蝕效果高度一，極大地降低了芯片制造過程中的次品率 。

成本也是 Kiyo 的一大競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。通過優(yōu)化設(shè)備結(jié)構(gòu)與工藝流程，Kiyo 在保證高性能的同時(shí)，降低了設(shè)備的能耗與維護(hù)成本。與同類設(shè)備相比，Kiyo 的能耗降低了 20%，每年可為企業(yè)節(jié)省大量的電費(fèi)支出 。其維護(hù)周期也相對(duì)較長(zhǎng)，平均維護(hù)間隔時(shí)間比同類產(chǎn)品延長(zhǎng)了 20%，減少了設(shè)備停機(jī)維護(hù)時(shí)間，提高了設(shè)備的使用效率，降低了企業(yè)的總體運(yùn)營(yíng)成本 。

（二）應(yīng)用領(lǐng)域

在 3D NAND 制造領(lǐng)域，Kiyo 發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨著 3D NAND 技術(shù)向更高層數(shù)發(fā)展，對(duì)刻蝕工藝的要求愈發(fā)嚴(yán)苛。Kiyo 憑借其高精度刻蝕與高深寬比結(jié)構(gòu)處理能力，能夠滿足 3D NAND 制造中復(fù)雜的刻蝕需求。在某 500 層 3D NAND 閃存芯片制造過程中，Kiyo 負(fù)責(zé)高深寬比的孔道刻蝕，其精確的刻蝕控制保證了孔道的垂直度與尺寸精度，有效提升了芯片的存儲(chǔ)密度與性能 。

在優(yōu)良 DRAM 制造方面，Kiyo 同樣。為滿足 DRAM 不斷提升的性能需求，Kiyo 參與到 DRAM 芯片的關(guān)鍵刻蝕環(huán)節(jié)。例如在某 DRAM 芯片制造中，Kiyo 負(fù)責(zé)對(duì)精細(xì)的電容器結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，其原子級(jí)精度確保了電容器結(jié)構(gòu)的完整性與穩(wěn)定性，為提高 DRAM 的存儲(chǔ)容量與讀寫速度奠定了基礎(chǔ) 。

在前沿邏輯芯片制造領(lǐng)域，Kiyo 的應(yīng)用也十分廣泛。從 7nm 到 5nm 再到 2nm 及以下制程，Kiyo 都能憑借其優(yōu)良的技術(shù)與出色的性能，助力芯片制造商攻克刻蝕難題。在某 2nm 制程邏輯芯片研發(fā)階段，Kiyo 成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)超精細(xì)柵極結(jié)構(gòu)的刻蝕，為芯片的高性能運(yùn)算提供了保障，推動(dòng)了前沿邏輯芯片技術(shù)的發(fā)展 。

四、發(fā)展之路：演進(jìn)與未來

（一）發(fā)展歷程

Kiyo 的發(fā)展歷程是一部不斷追求技術(shù)突破與創(chuàng)新的奮斗史。自推出以來，它便以優(yōu)良的刻蝕技術(shù)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域嶄露頭角，初代 Kiyo 憑借其在刻蝕速率和精度控制方面的初步優(yōu)勢(shì)，迅速在市場(chǎng)上獲得了一定份額，為后續(xù)發(fā)展奠定了基礎(chǔ) 。

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步與市場(chǎng)需求的日益嚴(yán)苛，Kiyo 開啟了技術(shù)升級(jí)的征程。在代產(chǎn)品基礎(chǔ)上，第二代 Kiyo 引入了更優(yōu)良的等離子體源技術(shù)，使得刻蝕過程中的等離子體密度分布更加均勻，刻蝕精度從初的 ±2nm 提升至 ±1nm，有效滿足了 14nm 制程芯片的刻蝕需求 。

為了適應(yīng)半導(dǎo)體行業(yè)向 7nm 及以下優(yōu)良制程邁進(jìn)的趨勢(shì)，Kiyo 持續(xù)迭代。第三代 Kiyo 搭載了全新的實(shí)時(shí)監(jiān)控與反饋控制系統(tǒng)，結(jié)合人工智能算法對(duì)刻蝕過程進(jìn)行智能優(yōu)化。在面對(duì)復(fù)雜的芯片結(jié)構(gòu)刻蝕時(shí)，系統(tǒng)能夠自動(dòng)學(xué)習(xí)并調(diào)整刻蝕參數(shù)，將刻蝕精度進(jìn)一步提升至 ±0.5nm，成功助力半導(dǎo)體制造商攻克了 7nm 制程的刻蝕難題 。

（二）未來趨勢(shì)

展望未來，隨著人工智能技術(shù)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的深入應(yīng)用，Kiyo 有望進(jìn)一步優(yōu)化其 AI 算法。通過對(duì)海量刻蝕數(shù)據(jù)的深度學(xué)習(xí)，Kiyo 能夠更精準(zhǔn)地預(yù)測(cè)刻蝕過程中可能出現(xiàn)的問題，并提前做出調(diào)整，實(shí)現(xiàn)刻蝕過程的全自動(dòng)化與智能化，極大地提高生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量 。

隨著半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜，多腔體集成技術(shù)成為發(fā)展方向。未來 Kiyo 可能會(huì)集成多個(gè)不同功能的刻蝕腔體，在同一設(shè)備上實(shí)現(xiàn)多種刻蝕工藝的連續(xù)進(jìn)行，減少晶圓在不同設(shè)備間的傳輸次數(shù)，降低晶圓損傷風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)提高生產(chǎn)效率，為半導(dǎo)體制造商提供更高效、更便捷的制造解決方案 。

隨著 5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興技術(shù)的蓬勃發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體芯片的性能和需求提出了更高要求。Kiyo 將繼續(xù)緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，不斷創(chuàng)新與升級(jí)，在滿足現(xiàn)有優(yōu)良制程工藝需求的基礎(chǔ)上，積極探索面向未來的新技術(shù)，如量子芯片刻蝕技術(shù)等，為半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入新的活力，推動(dòng)整個(gè)行業(yè)向更高水平邁進(jìn) 。

五、總結(jié)與展望：Kiyo 的價(jià)值與前路

LAM Technologies Kiyo 作為半導(dǎo)體刻蝕領(lǐng)域的杰出代表，憑借其功能特性、強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)以及廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在半導(dǎo)體制造行業(yè)中發(fā)揮著不可替代的關(guān)鍵作用 。其原子級(jí)的刻蝕精度、出色的性能表現(xiàn)以及對(duì)優(yōu)良制程的高度適應(yīng)性，不僅滿足了當(dāng)前半導(dǎo)體制造的嚴(yán)苛需求，更為行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步提供了有力支撐 ，推動(dòng)著半導(dǎo)體芯片不斷向更小尺寸、更高性能方向發(fā)展，為 5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的崛起奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ) 。

展望未來，隨著半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展，Kiyo 有望在人工智能、多腔體集成等前沿技術(shù)領(lǐng)域取得更大突破，進(jìn)一步提升其智能化水平與生產(chǎn)效率 ，為半導(dǎo)體制造商提供更加優(yōu)良、高效的刻蝕解決方案 。同時(shí)，Kiyo 也將面臨來自行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)與技術(shù)變革的挑戰(zhàn)，需要不斷創(chuàng)新與優(yōu)化，緊跟半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，以保持其在市場(chǎng)中的地位 。Kiyo 的發(fā)展歷程與未來走向，不僅是 LAM Technologies 技術(shù)實(shí)力的體現(xiàn)，更是整個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展的縮影，引發(fā)我們對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備未來發(fā)展方向的深入思考 ，激勵(lì)著行業(yè)內(nèi)各方不斷探索創(chuàng)新，共同推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新的高度 。

 LAM Technologies 主要產(chǎn)品型號(hào)

注：市場(chǎng)上存在兩家名稱相似的公司，下面分別介紹：

1. LAM Research (泛林集團(tuán)) - 半導(dǎo)體設(shè)備制造商

刻蝕產(chǎn)品系列：

·         FLEX 系列：原子層刻蝕 (ALE)、反應(yīng)離子刻蝕 (RIE)

·         KIYO 系列：高性能導(dǎo)體刻蝕，365 天免維護(hù)

·         Reliant 刻蝕：RIE、深反應(yīng)離子刻蝕 (DRIE)

·         Syndion 系列：Syndion C、F 系列、G 系列，用于 TSV 和高縱橫比結(jié)構(gòu)

·         Versys 系列：導(dǎo)體刻蝕

·         Akara 系統(tǒng)：關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用

沉積產(chǎn)品系列：

·         SABRE 系列：SABRE 3D、原子層沉積 (ALD)

·         ALTUS 系列：優(yōu)良沉積技術(shù)

·         VECTOR 系列：VECTOR TEOS、AHM、MD、Strata、DT、TEOS 3D

·         STRIKER 系列：SPARC ALD，提供高密度共形低 k 碳化物薄膜

·         Phoenix 系列：電化學(xué)沉積 (ECD)、光刻膠顯影 / 剝離

·         SOLA 系列：特殊沉積工藝

·         Triton 系列：高性能沉積

清洗 / 剝離產(chǎn)品系列：

·         DV-Prime & Da Vinci 系列：濕法清洗

·         CORONUS 系列：高選擇性斜面膜沉積

·         EOS 系列：高生產(chǎn)率背面膜蝕刻

·         GAMMA 系列：干法剝離、高劑量注入剝離 (HDIS)

·         SP 系列：特殊清洗工藝

計(jì)算解決方案：

·         Semiverse Solutions：SEMulator3D®、VizGlow®、Fabtex™良率優(yōu)化平臺(tái)

2. LAM Technologies (意大利) - 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備制造商

步進(jìn)電機(jī)系列：

·         NEMA 標(biāo)準(zhǔn)系列：

o    NEMA 17：M1173020、M1173030、M1173040 等

o    NEMA 23：M1233070、M1233071 (高扭矩)

o    NEMA 34/42

步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器系列：

·         DS10 系列：DS1041A、DS1044A、DS1048、DS1073、DS1078、DS1084、DS1087、DS1098

·         DS30 系列：DS3041、DS3044、DS3048、DS3073、DS3076

·         DS50/52 系列：支持 Modbus-RTU 總線

·         DDS1 系列：通過模擬信號(hào) (±10V) 或啟?？刂?/span>

·         EtherCAT 驅(qū)動(dòng)器：支持 CoE 協(xié)議、CiA 402 運(yùn)動(dòng)控制

·         PROFINET 集成電機(jī)：內(nèi)置電子元件的一體化解決方案

其他產(chǎn)品：

·         電源系列：DP1 系列導(dǎo)軌式非穩(wěn)壓電源

·         串行轉(zhuǎn)換器：CNV30 系列

·         PCB 安裝驅(qū)動(dòng)器：USD 系列 (12-42V DC, 0.3-2.4A)

總結(jié)

LAM Research 專注半導(dǎo)體制造設(shè)備，產(chǎn)品線覆蓋刻蝕、沉積、清洗等工藝；而 LAM Technologies 則專注工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，主要提供步進(jìn)電機(jī)及控制系統(tǒng)。如您需要特定型號(hào)的詳細(xì)參數(shù)，建議訪問相應(yīng)公司查詢新產(chǎn)品手冊(cè)。

LAM Technologies 主要產(chǎn)品型號(hào)

注：市場(chǎng)上存在兩家名稱相似的公司，下面分別介紹：

1. LAM Research (泛林集團(tuán)) - 半導(dǎo)體設(shè)備制造商

刻蝕產(chǎn)品系列：

·         FLEX 系列：原子層刻蝕 (ALE)、反應(yīng)離子刻蝕 (RIE) ，采用優(yōu)良的等離子體控制技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)原子級(jí)別的精確刻蝕，滿足優(yōu)良制程工藝對(duì)微小尺寸結(jié)構(gòu)加工的嚴(yán)苛要求，廣泛應(yīng)用于 7nm 及以下制程芯片制造。

·         KIYO 系列：高性能導(dǎo)體刻蝕，365 天免維護(hù) ，具備超高的刻蝕精度和穩(wěn)定性，在復(fù)雜的芯片結(jié)構(gòu)刻蝕中表現(xiàn)出色，可有效提升芯片制造的良品率和生產(chǎn)效率，是優(yōu)良邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片制造的關(guān)鍵設(shè)備。

·         Reliant 刻蝕：RIE、深反應(yīng)離子刻蝕 (DRIE) ，擁有強(qiáng)大的刻蝕能力，能夠處理高深寬比的結(jié)構(gòu)，適用于 MEMS 器件、功率器件等制造領(lǐng)域，為這些領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展提供了有力支持。

·         Syndion 系列：Syndion C、F 系列、G 系列，用于 TSV 和高縱橫比結(jié)構(gòu) ，針對(duì) 3D 集成技術(shù)中的硅通孔 (TSV) 和高縱橫比結(jié)構(gòu)刻蝕進(jìn)行優(yōu)化，提高了芯片的集成度和性能，在 3D NAND 閃存、優(yōu)良封裝等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。

·         Versys 系列：導(dǎo)體刻蝕 ，專注于導(dǎo)體材料的刻蝕工藝，具有高效、精準(zhǔn)的特點(diǎn)，可滿足不同類型導(dǎo)體在芯片制造過程中的刻蝕需求，為芯片的電氣性能提供保障。

·         Akara 系統(tǒng)：關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用 ，針對(duì)特定的關(guān)鍵刻蝕工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)，具備技術(shù)優(yōu)勢(shì)，能夠解決一些復(fù)雜的刻蝕難題，在優(yōu)良制程芯片制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

沉積產(chǎn)品系列：

·         SABRE 系列：SABRE 3D、原子層沉積 (ALD) ，采用原子層沉積技術(shù)，能夠在芯片表面均勻沉積超薄的薄膜，實(shí)現(xiàn)高精度的薄膜生長(zhǎng)控制，為芯片的高性能、低功耗設(shè)計(jì)提供了可能，廣泛應(yīng)用于優(yōu)良制程芯片的柵極、存儲(chǔ)電容等結(jié)構(gòu)的制造。

·         ALTUS 系列：優(yōu)良沉積技術(shù) ，擁有優(yōu)良的沉積工藝和設(shè)備，能夠沉積多種新型材料，滿足半導(dǎo)體制造對(duì)新材料應(yīng)用的需求，推動(dòng)了芯片技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展，在新型存儲(chǔ)器件、功率器件等領(lǐng)域得到應(yīng)用。

·         VECTOR 系列：VECTOR TEOS、AHM、MD、Strata、DT、TEOS 3D ，涵蓋多種沉積工藝和材料，能夠根據(jù)不同的芯片制造需求提供多樣化的解決方案，具有廣泛的適用性，在芯片制造的各個(gè)環(huán)節(jié)都有應(yīng)用。

·         STRIKER 系列：SPARC ALD，提供高密度共形低 k 碳化物薄膜 ，通過特殊的原子層沉積技術(shù)，能夠沉積出高質(zhì)量的低 k 碳化物薄膜，有效降低芯片的寄生電容，提高芯片的性能和運(yùn)行速度，在優(yōu)良邏輯芯片制造中具有重要應(yīng)用價(jià)值。

·         Phoenix 系列：電化學(xué)沉積 (ECD)、光刻膠顯影 / 剝離 ，專注于電化學(xué)沉積和光刻膠相關(guān)工藝，具有高精度、高效率的特點(diǎn)，為芯片制造中的金屬布線、光刻膠去除等環(huán)節(jié)提供了可靠的解決方案，保障了芯片制造工藝的順利進(jìn)行。

·         SOLA 系列：特殊沉積工藝 ，針對(duì)一些特殊的沉積需求進(jìn)行設(shè)計(jì)，具備技術(shù)和工藝優(yōu)勢(shì)，能夠滿足半導(dǎo)體制造中一些特殊結(jié)構(gòu)和材料的沉積要求，為芯片制造技術(shù)的創(chuàng)新提供了支持。

·         Triton 系列：高性能沉積 ，以高性能為特點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)快速、高質(zhì)量的薄膜沉積，提高生產(chǎn)效率的同時(shí)保證沉積質(zhì)量，在大規(guī)模芯片制造中具有顯著優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于各類半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)。

清洗 / 剝離產(chǎn)品系列：

·         DV-Prime & Da Vinci 系列：濕法清洗 ，采用濕法清洗技術(shù)，能夠有效去除芯片表面的雜質(zhì)和污染物，具有清洗效果好、對(duì)芯片損傷小的優(yōu)點(diǎn)，是芯片制造過程中清洗環(huán)節(jié)，廣泛應(yīng)用于晶圓制造、芯片封裝等領(lǐng)域。

·         CORONUS 系列：高選擇性斜面膜沉積 ，專注于高選擇性的斜面膜沉積工藝，能夠在特定的角度和位置沉積薄膜，實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)控制，為一些特殊芯片結(jié)構(gòu)的制造提供了技術(shù)支持，在優(yōu)良芯片制造中具有應(yīng)用價(jià)值。

·         EOS 系列：高生產(chǎn)率背面膜蝕刻 ，具備高生產(chǎn)率的背面膜蝕刻能力，能夠快速、高效地去除芯片背面的薄膜，提高生產(chǎn)效率，滿足大規(guī)模芯片制造的需求，在芯片制造的后道工序中發(fā)揮著重要作用。

·         GAMMA 系列：干法剝離、高劑量注入剝離 (HDIS) ，采用干法剝離技術(shù)，適用于高劑量注入后的光刻膠剝離等工藝，具有剝離效果好、對(duì)芯片損傷小的特點(diǎn)，保障了芯片制造過程中光刻膠去除環(huán)節(jié)的質(zhì)量和效率，在優(yōu)良芯片制造工藝中得到廣泛應(yīng)用。

·         SP 系列：特殊清洗工藝 ，針對(duì)一些特殊的清洗需求進(jìn)行設(shè)計(jì)，具備清洗技術(shù)和工藝，能夠解決一些復(fù)雜的清洗難題，滿足半導(dǎo)體制造中對(duì)特殊結(jié)構(gòu)和材料的清洗要求，為芯片制造技術(shù)的發(fā)展提供了保障。

計(jì)算解決方案：

·         Semiverse Solutions：SEMulator3D®、VizGlow®、Fabtex™良率優(yōu)化平臺(tái) ，提供全面的計(jì)算解決方案，通過模擬、分析和優(yōu)化等功能，幫助半導(dǎo)體制造商提高芯片制造的良率和性能，降低生產(chǎn)成本，在半導(dǎo)體制造過程中發(fā)揮著重要的輔助作用，為芯片制造工藝的優(yōu)化和創(chuàng)新提供了數(shù)據(jù)支持和技術(shù)指導(dǎo)。

2. LAM Technologies (意大利) - 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備制造商

步進(jìn)電機(jī)系列：

·         NEMA 標(biāo)準(zhǔn)系列：

o    NEMA 17：M1173020、M1173030、M1173040 等 ，具有體積小、精度高的特點(diǎn)，適用于小型自動(dòng)化設(shè)備、3D 打印機(jī)等領(lǐng)域，能夠提供精確的運(yùn)動(dòng)控制，滿足這些設(shè)備對(duì)精細(xì)運(yùn)動(dòng)的需求。

o    NEMA 23：M1233070、M1233071 (高扭矩) ，扭矩較大，適用于需要較大驅(qū)動(dòng)力的自動(dòng)化設(shè)備，如機(jī)器人關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)、數(shù)控機(jī)床等，能夠提供穩(wěn)定的動(dòng)力輸出，保障設(shè)備的正常運(yùn)行。

o    NEMA 34/42 ，具備更大的扭矩和功率，適用于大型工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備、自動(dòng)化生產(chǎn)線等領(lǐng)域，能夠滿足這些設(shè)備對(duì)高負(fù)載、高精度運(yùn)動(dòng)控制的要求，在工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著重要作用。

步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器系列：

·         DS10 系列：DS1041A、DS1044A、DS1048、DS1073、DS1078、DS1084、DS1087、DS1098 ，具有多種型號(hào)和功能，可滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的需求，具備高精度的細(xì)分控制能力，能夠?qū)崿F(xiàn)電機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)行和精確控制，廣泛應(yīng)用于自動(dòng)化設(shè)備、儀器儀表等領(lǐng)域。

·         DS30 系列：DS3041、DS3044、DS3048、DS3073、DS3076 ，在性能和功能上進(jìn)行了優(yōu)化，提供更高的驅(qū)動(dòng)電流和更好的穩(wěn)定性，適用于對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)力和運(yùn)行穩(wěn)定性要求較高的應(yīng)用，如工業(yè)機(jī)器人、自動(dòng)化倉儲(chǔ)設(shè)備等。

·         DS50/52 系列：支持 Modbus-RTU 總線 ，具備通信功能，方便與其他設(shè)備進(jìn)行組網(wǎng)和數(shù)據(jù)交互，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化系統(tǒng)的集中控制和管理，適用于工業(yè)自動(dòng)化生產(chǎn)線、智能工廠等領(lǐng)域，提高了系統(tǒng)的集成度和智能化水平。

·         DDS1 系列：通過模擬信號(hào) (±10V) 或啟?？刂?/span> ，提供了靈活的控制方式，適用于一些對(duì)控制方式有特殊要求的設(shè)備，如自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備等，能夠滿足這些設(shè)備對(duì)電機(jī)控制的個(gè)性化需求。

·         EtherCAT 驅(qū)動(dòng)器：支持 CoE 協(xié)議、CiA 402 運(yùn)動(dòng)控制 ，基于 EtherCAT 總線技術(shù)，具有高速、實(shí)時(shí)的通信能力，能夠?qū)崿F(xiàn)多軸電機(jī)的同步控制，適用于對(duì)運(yùn)動(dòng)控制精度和實(shí)時(shí)性要求的應(yīng)用，如高速加工中心、電子制造設(shè)備等。

·         PROFINET 集成電機(jī)：內(nèi)置電子元件的一體化解決方案 ，將電機(jī)和驅(qū)動(dòng)器集成在一起，減少了系統(tǒng)的布線和安裝空間，提高了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性，適用于對(duì)設(shè)備集成度和空間要求較高的應(yīng)用，如小型自動(dòng)化設(shè)備、智能家居等。

其他產(chǎn)品：

·         電源系列：DP1 系列導(dǎo)軌式非穩(wěn)壓電源 ，為工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備提供穩(wěn)定的電源供應(yīng)，具有體積小、安裝方便的特點(diǎn)，適用于各種工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)，保障設(shè)備的正常運(yùn)行。

·         串行轉(zhuǎn)換器：CNV30 系列 ，實(shí)現(xiàn)不同通信接口之間的轉(zhuǎn)換，方便設(shè)備之間的通信和數(shù)據(jù)傳輸，在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中起到連接和適配的作用，提高了系統(tǒng)的兼容性和可擴(kuò)展性。

·         PCB 安裝驅(qū)動(dòng)器：USD 系列 (12-42V DC, 0.3-2.4A) ，體積小巧，可直接安裝在 PCB 板上，適用于空間有限的小型設(shè)備和電路板級(jí)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，為這些設(shè)備提供了緊湊、高效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案。

總結(jié)

LAM Research 專注半導(dǎo)體制造設(shè)備，產(chǎn)品線覆蓋刻蝕、沉積、清洗等工藝；而 LAM Technologies 則專注工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，主要提供步進(jìn)電機(jī)及控制系統(tǒng)。如您需要特定型號(hào)的詳細(xì)參數(shù)，建議訪問相應(yīng)公司查詢新產(chǎn)品手冊(cè)。

LAM Technologies KIYO：驅(qū)動(dòng)電機(jī) 控制器